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Si4134DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
50
40
V GS = 10 V thr u 5 V
V GS = 4 V
8
6
30
4
20
2
T C = 25 °C
10
0
V GS = 3 V
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.025
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
88 0
0.020
0.015
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
660
440
C oss
0.010
220
C rss
0.005
0
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
8
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 10 A
V GS = 10 V
1.4
6
V DS = 20 V
4
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.2
V GS = 4.5 V
1.0
2
0
0. 8
0.6
0.0
3.2
6.4
9.6
12. 8
16.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68999
S11-0650-Rev. C, 11-Apr-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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